Группа исследователей из технологий и Корейского института науки (Республика Корея) разместила статью в издании Applied Physics Letters, в какой сообщается о разработке первой в мире действующей прозрачной микросхемы памяти. Собственную разработку исследователи назвали "прозрачной резистивной памятью с случайной выборкой" (transparent resistive random access memory, TRRAM).
По чертам микросхема напоминает обширно применяемую сейчас энергонезависимую память типа КМОП.
Технологически же новые чипы во многом повторяют не так с покон веков созданные образцы резистивной памяти с случайной выборкой (resistive random access memory, RRAM). При изготовлении RRAM употребляются отличающиеся высокой прозрачностью металлооксидные материалы, и корейским ученым оставалось лишь найти подходящие прозрачные электроды и подложку и сделать на этой базе микросхему.
Коэффициент пропускания излучения в видимом диапазоне у готового изделия был равен 0,81.
"Мы открыли новый шаг в развитии светопроницаемой электроники, – с уверенностью заявляет Джун Вон Сео, ведущий создатель работы. – Объединив TRRAM с другими прозрачными компонентами, возможно сделать завершенное – и просматриваемое полностью – электронное устройство". По словам ученых, сделать создание микросхем TRRAM сопоставимо легко, и до коммерческой реализации новой разработке осталось всего три-четыре года.
Цена на такие устройства также не должна быть высокой, в силу того, что в качестве электродов и подложки возможно применять фактически каждые прозрачные материалы.