Альянс производителей полупроводников во главе с американской компанией IBM сделал первую в мире компьютерную память на базе 22-нанометрового технологического процесса, транзисторы которой в три тысячи раз уже людской волоса.
Предполагается, что 1-ые 22-нанометровые микросхемы будут запущены в неспециализированное создание в две тысячи одиннадцать году
Компания IBM в содружестве с AMD, Freescale, STMicroelecronics и Toshiba создала первую в мире статическую память со случайным доступом (SRAM) на базе 22-нанометрового технологического процесса. Микросхемы были выпущены на стандартной подложке поперечником триста мм в исследовательской лаборатории IBM в Албани, штат New-york.
Ячейки памяти имеют классическую для SRAM конструкцию и складываются из 6 транзисторов, занимающих площадь в 0,1 квадратных микрона.
Толщина каждого транзистора не превосходит 20 два 22-нанометров. Это в три тысячи раз уже людской волоса. В компании отмечают, что изготовленные модули являются не эталонами, а реально трудящимися примерами.
Для сотворения памяти употреблялась разработка иммерсионной литографии с числовой апертурой. Благодаря этой технологии удалось достигнуть высокой плотности компонент и сделать самую компактную память SRAM в мире. Память SRAM употребляется в процессорах и хранит эти перед их обработкой.
Сейчай чипы производятся по разработке 40 5 нанометров.
Новое поколение полупроводников будет выпускаться на базе 32-нанометрового техпроцесса, и лишь позднее- на базе 22-нанометрового. Согласно мнению ученых из IBM, 1-ые процессоры на базе 22-нанометровой разработки покажутся в две тысячи одиннадцать году.
Ранее предполагалось, что принятие 22-нанометровой технологии случится не ранее две тысячи шестнадцать года.